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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐAVERAGE函数是什么意思，计算机average函数是什么意思n)患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cAVERAGE函数是什么意思，计算机average函数是什么意思ì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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