大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 广西属于哪个省份，广西属于哪个省哪个市哪个区