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　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

哈密瓜什么季节吃比较好，哈密瓜几月份吃是正季　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国哈密瓜什么季节吃比较好，哈密瓜几月份吃是正季#ff0000; line-height: 24px;'>哈密瓜什么季节吃比较好，哈密瓜几月份吃是正季内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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