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黑头导出液是智商税吗,刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗

黑头导出液是智商税吗,刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查,目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全,是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng),只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网(wǎng)信网发文(wén)称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán),防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》,网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公告显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期(qī)合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优势,公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

  有(yǒu)券(quàn)商此前就分析,如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制,或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)黑头导出液是智商税吗,刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单,设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额(é)提升,以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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