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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)离婚多久复婚的概率最大，离婚多久复婚的概率最大呢守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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