大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问在沙特打工一年挣多少钱，到沙特打工工资高吗题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de在沙特打工一年挣多少钱，到沙特打工工资高吗)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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