大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(qu孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗án)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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