大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等推敲文言文原文及翻译注音，推敲文言文原文及翻译注释(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产推敲文言文原文及翻译注音，推敲文言文原文及翻译注音，推敲文言文原文及翻译注释推敲文言文原文及翻译注释线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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