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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么àn)照《网络安全审球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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