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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过cac2制取c2h2，cac2形成过程电子式美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NANDcac2制取c2h2，cac2形成过程电子式产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高(gcac2制取c2h2，cac2形成过程电子式āo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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