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苹果xr重量为多少g 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

  据网信(xìn)办(bàn)消息,日(rì)前,网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患,对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī),我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá),目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全(quán),是维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng),只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发(fā)!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头(tóu),也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一,2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Om苹果xr重量为多少gdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá苹果xr重量为多少g)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中(zhōng),江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降,至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约,确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势,公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分析(xī),如果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露(lù),薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān),设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入增长(zh苹果xr重量为多少gǎng)。

 

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