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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的(d离婚不离家有性关系吗，离婚了还和前夫有性e)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰离婚不离家有性关系吗，离婚了还和前夫有性57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三离婚不离家有性关系吗，离婚了还和前夫有性大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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