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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国1984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 20211984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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