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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(城南旧事主要内容概括50字，城南旧事主要内容概括100字jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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