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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场(chǎng)。<c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式/p>

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三(c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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