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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网(wǎngn是正极还是负极，L是正极还是负极)络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经n是正极还是负极，L是正极还是负极进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒnn是正极还是负极，L是正极还是负极g)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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