大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网阴肖有哪几个生肖信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公阴肖有哪几个生肖司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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